RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link