RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link