RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8G2666CL19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3040
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
Corsair CM2X1024-6400C5DHX 1GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link