RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link