RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link