RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link