RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link