RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2536
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link