RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link