RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
63
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
63
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ME68FAF1600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link