Kingston 9905474-012.A00LF 2GB против Kingston HX318C10FK/4 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Средняя оценка

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 69

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.2 6.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.4 4.1

Среднее значение в тестах

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

14900 10600

Около 1.41 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

27 69
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 6.1
Скорость записи, Гб/сек

6.4 4.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 14900

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1537 1116

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Kingston 9905474-012.A00LF 2GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

модули RAM