RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link