RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link