RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link