RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link