RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link