RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2933

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
модули RAM