RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2818
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link