RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
98
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
98
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link