RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link