RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link