RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link