RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2488
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link