RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 30
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 19200
    Около 1.22 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2913

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
модули RAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
модули RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM