RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3221
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link