Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 35

周辺 31% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 12.1

テスト平均値

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

考慮すべき理由
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.6 16

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 35
読み出し速度、GB/s

16.0 17.6
書き込み速度、GB/秒

12.5 12.1
メモリ帯域幅、mbps

19200 25600

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3221

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB

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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB

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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

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