RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 36
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2490

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM