RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3075
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link