RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2185
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link