RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KHX16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link