RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2907
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link