RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2183
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link