RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link