RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2594
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link