RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link