RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link