RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link