RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link