RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link