RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link