RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link