RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link