RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link