RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link