RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link