RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Air Computers SRL MXUD3L08160011XB7R 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link