RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link