RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link