RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2464
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link