RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
3127
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link