RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2871
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link