RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
3498
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link