RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
3498
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link