RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.6
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
3649
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Lifetime Memory Products LIFETIMEMEMORY.COM 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link