RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
3.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
3.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
965
3260
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link