RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
46
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
46
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2469
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Jinyu 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link