RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
2620
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link